Gäller för: Läsåret 2013/14
Beslutad av: Utbildningsnämnd B
Beslutsdatum: 2013-04-10
Huvudområde: Nanovetenskap.
Valfri för: E4, E4-dpd, E4-f, E4-hn, F4, F4-f, F4-hn, F4-nf, MSOC2, N4-nf, N4-hn
Undervisningsspråk: Kursen ges på begäran på engelska
Kursen ansluter till grundkursen i fasta tillståndets fysik/elektroniska material/komponentfysik för att ge en bredare och djupare kunskap i halvledarfysik som är av central betydelse för ämnets tillämpningar. De grundläggande fysikaliska principerna som behövs för att förstå halvledarkomponenter och deras funktion fördjupas, även inom enklare elektroniska tillämpningar.
Kunskap och förståelse
För godkänd kurs skall studenten
Färdighet och förmåga
För godkänd kurs skall studenten
Grundläggande fysikalisk teori för halvledare: bandstruktur,
intrinsiska och extrinsiska halvledare -
laddningsbärarkoncentrationer och transportfenomen.
Icke-jämvikt i halvledare: excitations- och
rekombinationsmekanismer, injektion av
laddningsbärare.Yttillstånd.
Elektriska egenskaper hos komponenter som pn-övergång, bipolär
transistor, metall-halvledarövergång. MOS-transistor:
grundläggande egenskaper och olika typer av MOS-strukturer.
Betygsskala: TH
Prestationsbedömning: Godkända inlämningsuppgifter, godkända laborationer och muntlig tentamen.
Förutsatta förkunskaper: Kunskaper i fasta tillståndets fysik inklusive introduktion till halvledare och pn-övergången motsvarande FFFF05 Fasta tillståndets fysik, FFFF01 Elektroniska material eller ESS030 Komponentfysik.
Begränsat antal platser: Nej
Kursansvarig: Carina Fasth, carina.fasth@ftf.lth.se
Kursansvarig: Dan Hessman, dan.hessman@ftf.lth.se
Hemsida: http://www.ftf.lth.se/~ftf-gu/GG_Courses/FFF021.html