Antal poäng: 4. Betygskala: TH. Valfri för: N4. Kursansvarig: Jonas Johansson, jonas.johansson@ftf.lth.se och Werner Seifert, Fysik, kurslaboratoriet. Rekommenderade förkunskaper: FFF110 Process- och komponentteknologi, någon grundkurs i termodynamik, materiallära, eller motsvarande. Prestationsbedömning: Skriftligt prov och godkända inlämningsuppgifter.

Mål
Kursen avser att ge grundläggande kunskaper i kristalltillväxt och speciellt epitaxi av halvledarstrukturer.

Kunskapsmål
Studenten ska förstå kristalltillväxt och epitaxi, samt de nödvändiga begreppen inom termodynamik och kinetik.

Färdighetsmål
Studenten ska kunna föra en grundläggande diskussion om epitaxi och kristalltillväxt.

Attitydmål
Studenten ska förstå kopplingen mellan tillväxtparametrar samt tillväxtmetod och resultatets egenskaper och kvalitet.

Innehåll
Vi börjar med att diskutera de fundamentala aspekterna av kristalltillväxt. I detta kursavsnitt som behandlar grundläggande termodynamik och kinetik behandlar vi: kristallstruktur och kristallytor, fasdiagram, materialtransport, ytreaktioner, nukleeringsteorier och tillväxtmekanismer. I nästa kursavsnitt behandlas tekniker för bulk- och epitaxiell tillväxt. Här kommer bl a LEC, VGF, MBE, MOVPE, VPE, LPE att förklaras. I kursens tredje och sista avsnitt kommer epitaxi för lågdimensionella halvledarstrukturer att gås igenom. Detta, för moderna tillämpningar mycket viktiga avsnitt, handlar bl a om selektiv epitaxi, sk strain-induced self-organization, och tillväxt av endimensionella strukturer (nanowires).

Litteratur
Enligt av institutionen fastställd litteraturlista vilken ska finnas tillgänglig senast fem veckor för kursstart.