Gäller för: Läsåret 2013/14
Beslutad av: Utbildningsnämnd B
Beslutsdatum: 2013-04-10
Huvudområde: Nanovetenskap.
Valfri för: F4, F4-nf, K4-m, N4-nf, N4-m
Undervisningsspråk: Kursen ges på engelska
Kursen avser att ge nödvändiga kunskaper för att förstå kristalltillväxt och speciellt epitaxi av halvledarstrukturer.
Kunskap och förståelse
För godkänd kurs skall studenten
Färdighet och förmåga
För godkänd kurs skall studenten
I denna kurs kommer vi att noggrant gå igenom de fundamentala aspekterna av kristalltillväxt. Vi kommer att behandla de termodynamiska förutsättningarna för kristalltillväxt, såsom kemisk potential, konstruktion av binära fasdiagram, övermättnad och nukleering. Vidare kommer vi att studera ytenergier, ytdiffusion och Wulffs teorem. Inom kursavsnittet om epitaxiell växt kommer vi bland annat att diskutera ytrekonstruktioner, gitteranpassning, dislokationer samt karaktärisering – både in- och ex-situ. Vi kommer också att gå igenom tillväxttekniker och reaktormodeller. Under kursens gång kommer de olika delmomenten att belysas med exempel från modern forskning, i synnerhet forskning om epitaxi av nanostrukturer.
Betygsskala: TH
Prestationsbedömning: Skriftlig tentamen och obligatoriska inlämningsuppgifter som kan komma att ge bonuspoäng på den skriftliga tentamen, under förutsättning att den skriftliga tentamen är godkänd.
Förutsatta förkunskaper: FFF110 Process- och komponentteknologi, någon grundkurs i termodynamik och materiallära.
Begränsat antal platser: Nej
Kursansvarig: Jonas Johansson, jonas.johansson@ftf.lth.se
Lärare: Masoomeh Ghasemi, masoomeh.ghasemi@ftf.lth.se
Hemsida: http://www.ftf.lth.se/education/elective_courses/