Kursplan för läsåret 2009/2010
(Genererad 2009-08-11.)
HÖGHASTIGHETSELEKTRONIKFFF115
High Speed Devices

Antal högskolepoäng: 7,5. Betygskala: TH. Nivå: A (Avancerad nivå). Undervisningsspråk: Kursen ges på begäran på engelska. Valfri för: E4, E4rn, F4, F4nfe, MNAV2, MSOC2, N4, N4nel, N4nf. Kursansvarig: Prof. Lars-Erik Wernersson, Lars-Erik.Wernersson@ftf.lth.se och Dr. Erik Lind, Erik.Lind@ftf.lth.se, Fysik, kurslaboratoriet. Förutsatta förkunskaper: FFF021 Halvledarfysik eller FFF110 Process- och komponentteknologi. Prestationsbedömning: Skriftlig examen och godkänd rapport. Hemsida: http://wwwgu.ftf.lth.se/Courses/FFF115.html.

Syfte
Modern elektronik såsom mobila och satellitbaserade kommunikationssystem bygger på design av höghastighetskomponenter. Denna kurs täcker den fundamentala designen av heterostrukturerna i nyckelkomponenter i etablerade och kommande teknologier. Den innehåller grundläggande modellering av DC och AC egenskaperna för HBTer och HFETar men även specifikt nanoelektroniska exempel som tunneldioder och ballistiska komponenter. Föreläsningarna kommer att bygga på en matematisk beskrivning av transportegenskaperna i komponenterna, medan aktuella komponenter kommer att presenteras som exempel.

Mål

Kunskap och förståelse
För godkänd kurs skall studenten

Färdighet och förmåga
För godkänd kurs skall studenten

Värderingsförmåga och förhållningssätt
För godkänd kurs skall studenten

Innehåll
Heterostrukturer i halvledarmaterial– materialegenskaper och transportekvationer.

Heterostruktur-fälteffekttransistorn – grundläggande och avancerade modeller, fysikaliska egenskaper. DC och AC modeller för transistorn samt parasiter.

Heterostruktur-bipolära transistorn – heterostrukturdesign och bastransportdynamik. DC och AC modeller för transistorn och dess parasiter.

Skalningsteori för HBTer och HFETar.

Resonanta-tunneldioder samt ballistiska FETar.

Litteratur
Liu, W: Fundamentals of III-V Devices: HBTs, MESFETs and HFETs/HEMTs Wiley Interscience 1999. ISBN 978-0471297000