Kursplan för läsåret 2008/2009
(Genererad 2008-07-17.)
HÖGHASTIGHETSELEKTRONIKFFF115
High Speed Devices

Antal högskolepoäng: 7,5. Betygskala: TH. Nivå: A (Avancerad nivå). Undervisningsspråk: Kursen kan komma att ges på engelska. Valfri för: E4, E4rn, F4, F4nfe, MNAV4, MSOC2, N4, N4nel, N4nf. Kursansvarig: Prof. Lars-Erik Wernersson, Lars-Erik.Wernersson@ftf.lth.se, Fysik, kurslaboratoriet. Förutsatta förkunskaper: FFF021 Halvledarfysik eller FFF110 Process- och komponentteknologi. Prestationsbedömning: Skriftlig examen och godkänd rapport. Hemsida: http://www-gu.ftf.lth.se.

Syfte
Modern elektronik såsom mobila och satellitbaserade kommunikationssystem bygger på design av höghastighetskomponenter. Denna kurs täcker den fundamentala designen av heterostrukturerna i nyckelkomponenter i etablerade och kommande teknologier. Den innehåller grundläggande modellering av DC och AC egenskaperna för HBTer och HFETar men också hur man använder tunneldioder i speciella kretsapplikationer. Föreläsningarna kommer att bygga på en matematisk beskrivning av transportegenskaperna i komponenterna, medan aktuella komponenter kommer att presenteras som exempel.

Mål

Kunskap och förståelse
För godkänd kurs skall studenten

Färdighet och förmåga
För godkänd kurs skall studenten

Värderingsförmåga och förhållningssätt
För godkänd kurs skall studenten

Innehåll
Heterostrukturer i halvledarmaterial– materialegenskaper, lateral och vertikal transport.

Heterostruktur-fälteffekttransistorn – grundläggande och avancerade modeller, fysikaliska egenskaper. DC och AC operation.

Heterostruktur-bipolära transistorn – heterostrukturdesign och bastransport dynamik. DC och AC modeller för transistorn och dess parasiter.

CMOS: grundläggande principer för operation samt kortkanalseffekter

Resonant tunnling och komponenter – fysik och tillämpningar.

Litteratur
Liu, W: Fundamentals of III-V Devices: HBTs, MESFETs and HFETs/HEMTs Wiley Interscience 1999