Poäng: 5.0 Betygskala: TH. Valfri för: D4, E4, F4. Kursansvarig: professor Lars Samuelson, lars.samuelsson@ftf.lth.se.. Förkunskapskrav: Fasta tillståndets fysik, grundkurs F eller Halvledarfysik E eller motsvarande.. Prestationsbedömning: Skriftligt prov. Betygsskala: 3.0 (0.1) 6.0. För betyg fordras godkänd laborationskurs. Betyget sättes baserat på en sammanvägning av laborationskurs, projektarbete och sluttentamen. Övrigt: Efter det att kursens föreläsningsdel är klar genomförs ett projektarbete under ca 1,5 vecka inom ett ämne som väljs i samråd med kursansvariga. Projektarbetet redovisas skriftligt och muntligt. OBS! Kursen kan komma att ges på engelska.

Mål:
Kursen avser att behandla den senaste utvecklingen inom halvledarteknologi och fysik. Kursen fokuserar särskilt på nm-strukturer, från tillverkning till tillämpning i moderna mikroelektroniska komponenter.

Innehåll:
Nanometerteknologi: Epitaxiell tillväxt av mycket tunna skikt och kvantstrukturer med bla molekylstråleepitaxi (MBE, CBE) och gasfasepitaxi (CDV). Elektronstrålelitografi för mönstring med lateral upplösning kring 20-50 nm. Sveptunnelmikroskopi (STM) och Atomkraftmikroskopi (AFM) för högupplösande studier av nanometerstrukturer. Fysik på nanometerskala: Elektronstruktur för lågdimensionella system. Optiska egenskaper hos 2-, 1- och 0-dimensionella strukturer. Transportfysikaliska egenskaper hos 2- och 1-dimensionella elektroner i lågdimensionella strukturer. Tillämpningar inom nano-elektronik: Fotoniska komponenter, lasrar och modulatorer vilka utnyttjar kvantstrukturer. Höghastighetskomponenter baserade på 2-dimensionell elektrongas (HEMT) och resonant tunnling komponenter behandlas liksom enelektronik, dvs komponenter och kretsar vilka bygger på kontrollerad transport och lagring av en enskild elektron.

Litteratur:
Stencilerat material.