Gäller för: Läsåret 2015/16
Beslutad av: Utbildningsnämnd A
Beslutsdatum: 2015-04-10
Huvudområde: Nanovetenskap.
Valfri för: E4-fh, F4, F4-hn, F4-nf, MSOC1, N4-hn
Undervisningsspråk: Kursen ges på begäran på engelska
Målet med denna kurs är att ge fundmentala kunskaper om design och analys av högfrekvensegenskaperna hos transistorer på nanometerskala. Utifrån en matematisk beskrivning av elektrontransport (diffusiv och ballistisk) i halvledare härleds DC och AC transistormodeller för fälteffekttransistorer och bipolära transistorer. Dessa modeller appliceras sedan för att ta fram skalningsregler för att optimera högfrekvensprestandan.
Kunskap och förståelse
För godkänd kurs skall studenten
Färdighet och förmåga
För godkänd kurs skall studenten
Värderingsförmåga och förhållningssätt
För godkänd kurs skall studenten
Diffusiv och ballistisk transport i halvledare.
Heterostrukturer i halvledarmaterial– materialegenskaper och transportekvationer.
Småsignalmodellering och två-port beskrivning.
(Heterostruktur)-fälteffekttransistorn – Geometri. DC och AC-modeller med transkapacitanser. Parasitresistanser och kapacitanser.
Heterostruktur-bipolära transistorn – heterostrukturdesign och bastransportdynamik. DC och AC modeller för transistorn.
Skalningsteori för FETar.
Betygsskala: TH
Prestationsbedömning: Skriftlig examen, projektpresentation samt godkända laborationer.
Förutsatta förkunskaper: ESS030 Komponentfysik eller FFF021 Halvledarfysik eller ETIN70 Modern elektronik
Begränsat antal platser: Nej
Kursansvarig: Dr. Erik Lind, erik.lind@eit.lth.se
Kursansvarig: Prof. Lars-Erik Wernersson, lars-erik.wernersson@eit.lth.se
Hemsida: http://www.eit.lth.se/kurs/fff115